工頻介電常數及介質損耗測試儀 ； ；

特點：

1.優化的測試電路設計使殘值更小

2.高頻信號采用數碼調諧器和頻率鎖定技術

3. LED數字讀出品質因數，手動/自動量程切換

4.自動掃描被測件諧振點，標頻單鍵設置和鎖定，大大提高測試速度

工頻介電常數及介質損耗測試儀 ； 影響介電性能的因素

 ；下面分別討論頻率、溫度、濕度和電氣強度對介電性能的影響。

1頻率

 ；因為只有少數材料如石英玻璃、聚苯乙烯或聚乙烯在很寬的頻率范圍內它們的。r和tans幾乎是恒定的，且被用作工程電介質材料，然而一般的電介質材料必須在所使用的頻率下測量其介質損耗因數和電容率。

 ；電容率和介質損耗因數的變化是由于介質極化和電導而產生，最重要的變化是極性分子引起的偶極子極化和材料的不均勻性導致的界面極化所引起的.

2溫度

 ；損耗指數在一個頻率下可以出現一個最大值，這個頻率值與電介質材料的溫度有關。介質損耗因數和電容率的溫度系數可以是正的或負的，這取決于在測量溫度下的介質損耗指數最大值位置。

3濕度

 ；極化的程度隨水分的吸收量或電介質材料表面水膜的形成而增加，其結果使電容率、介質損耗因數和直流電導率增大。因此試驗前和試驗時對環境濕度進行控制是必不可少的.

 ；注:濕度的顯著影響常常發生在1MHz以下及微波頻率范圍內

4電場強度

 ；存在界面極化時，自由離子的數目隨電場強度增大而增加，其損耗指數最大值的大小和位置也隨此而變。

 ；在較高的頻率下，只要電介質中不出現局部放電，電容率和介質損耗因數與電場強度無關。

電感測量：

a．測量范圍：14.5nH~8.14H。

b．分  ； ； ；檔：分七個量程。

 ； ； ； ； ； ；0.1～1μH，  ； ； ；1～10μH，  ； ； ；10～100μH，  ；

 ； ； ； ； ； ；0.1～lmH，  ； ； ； ；1～10mH，  ； ； ； ；10～100mH，  ； ；100 mH～1H。

 ；附加特性對比?

?特性?	?電橋法?	?諧振法?
溫度適應性	需嚴格溫控（高精度要求）8	對溫濕度波動相對不敏感9
操作復雜度	復雜（需手動調節平衡）8	簡便（自動掃頻調諧）6
多參數測量能力	可同步測Cx、tanδ、Rx6	主要測Q值和諧振頻率4

標準配置：

高配Q表 一只  ；

試驗電極 ；一只（c類）

電感 ； ； ； ； ；一套（9只）

電源線 ； ； ；一條

說明書 ； ； ；一份

合格證 ； ； ；一份

保修卡 ； ； ；一份

頻率適用范圍?

?方法?	?適用頻率范圍?	?原因?
電橋法	20Hz~MHz（中低頻段）	高頻時雜散電容和殘余電感導致橋路平衡困難，精度下降68。
諧振法	MHz~GHz（高頻段）	電路結構簡單，分布參數影響小，更適合高頻測量49。

儀器特點：

☆接線簡單（正接法兩根線，反接可使用一根線），所有電纜線均有接地屏蔽，所以都能拖地使用，測量電壓緩升、緩降，全自動測量，結果直讀，無須換算。

☆多種測量方式 可選擇正/反接線、內/外標準電容器和內/外試驗電壓進行測量。正接線可測量高壓介損。

☆ 抗震性能 儀器可承受長途運輸中強烈震動顛簸而不會損壞。

☆ 抗干擾能力強 采用自動跟蹤干擾抵償電路，將矢量運算法與移相法結合，有效地消除強電場干擾對測量的影響，適用于500kV及其以下電站的現場試驗。

☆CVT測量 獨特自激法測量CVT功能，不需外加任何設備，可完成不可拆頭CVT的測量。一次接線（三根電纜，不用倒線），一個測量過程（大約1分鐘），兩個最終測量結果（C1和C2的介損及電容值）。測量過程中文顯示，能實時監測自激電流值和試驗電壓（高壓）值。能消除引線對測試的影響，測量結果準確可靠。

☆ 安全措施

（1）高壓保護：試品短路、擊穿或高壓電流波動，能迅速切斷高壓輸出。

（2）CVT保護：設定自激電壓的過流點，一旦超出設置的電流值，儀器自動退出測量，不會損壞設備。

（3）接地檢測：儀器有接地檢測功能，未接地時不能升壓測量。

（4）防誤操作：具備防誤操作設計，能判別常見接線錯誤，安全報警。

（5）防“容升”：測量大容量試品時會出現電壓抬高的“容升”效應，儀器能自動跟蹤輸出電壓，保持試驗電壓恒定。

☆VFD顯示 采用新穎的大屏幕VFD點陣顯示器，在嚴冬和盛夏都能清晰顯示。全中文操作菜單，操作提示各種警告信息，直觀明了，不需查閱說明書即可操作。

☆打印 儀器附有微型打印機，以中文方式打印輸出測量結果及狀態。

☆RS232儀器具有RS232接口，與計算機連接便于數據的統計和處理及保存。

☆可選購與計算機通信應用程序。

測試注意事項

a．本儀器應水平安放；

b．如果你需要較精確地測量，請接通電源后，預熱30分鐘；

c．調節主調電容或主調電容數碼開關時，當接近諧振點時請緩調；

d．被測件和測試電路接線柱間的接線應盡量短，足夠粗，并應接觸良好、可靠，以減少因接線的電阻和分布參數所帶來的測量誤差；

e．被測件不要直接擱在面板頂部，離頂部一公分以上，必要時可用低損耗的絕緣材料如聚苯乙烯等做成的襯墊物襯墊；

f．手不得靠近試件，以免人體感應影響造成測量誤差，有屏蔽的試件，屏蔽罩應連接在低電位端的接線柱。

 ；

?關鍵對比與選擇?

?場景?	?推薦電橋類型?	?優勢?
中低阻值精確測量（Ω級）	惠斯通電橋	結構簡單，成本低7
毫歐級微小電阻檢測	凱爾文電橋	消除導線電阻誤差7
高頻介質損耗分析	西林電橋	支持10kV高壓，抗干擾強

電橋法應用案例"。之前的對話歷史顯示用戶已經了解電橋法和高頻介質損耗試驗儀的區別，現在轉向實際應用場景。

首先看搜索結果中的案例分布。提到朋友用惠斯通電橋檢測音響老化電阻的實例，非常生活化；詳細說明了MEMS壓力傳感器中的惠斯登電橋結構，屬于工業應用；和聚焦教學場景，提到高考物理的電橋法測電阻題型；列舉了多個領域如光學參數測量和化學反應監測；描述了可燃氣體檢測和電子秤的應變片應用；對比了惠斯通和凱爾文電橋的適用場景；和則專門講西林電橋在絕緣材料tanδ測量的案例；補充了介電常數測量的干擾因素。

試驗步驟

1試樣的制備

 ；試樣應從固體材料上截取，為了滿足要求，應按相關的標準方法的要求來制備。

 ；應精確地測量厚度，使偏差在士(0. 2%士。.005 mm)以內，測量點應均勻地分布在試樣表面。必要時，應測其有效面積。

2條件處理

 ；條件處理應按相關規范規定進行。

3測量

 ；電氣測量按本標準或所使用的儀器(電橋)制造商推薦的標準及相應的方法進行。

 ；在1 MHz或更高頻率下，必須減小接線的電感對測量結果的影響。此時，可采用同軸接線系統(見圖1所示)，當用變電抗法測量時，應提供一個固定微調電容器。

宏觀結構不均勾性的介質損耗

工程介質材料大多數是不均勻介質。例如陶瓷材料就是如此，它通常包含有晶相、玻璃相和氣相，各相在介質中是統計分布口。由于各相的介電性不同，有可能在兩相間積聚了較多的自由電荷使介質的電場分布不均勻，造成局部有較高的電場強度而引起了較高的損耗。但作為電介質整體來看，整個電介質的介質損耗必然介于損耗最大的一相和損耗最小的一相之間。

技術指標

2.1  ；測量范圍及誤差

 ； ； ； ；本電橋的環境溫度為20?5℃，相對濕度為30％－80％條件下，應滿足

下列表中的技術指示要求。

 ；

 ； ； ； ；在Cn＝100pF  ； ； ；R4＝3183.2（W）（即10K/π）時

 ； ； ； ；測量項目 ； ； ； ； ； ；測量范圍 ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ；測量誤差 ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ；

 ； ； ； ；電容量Cx  ； ； ； ； ； ；40pF--20000pF  ； ； ； ； ；?0.5%  ；Cx?2pF  ； ； ； ；

 ； ； ； ；介質損耗tgd  ； ； ； ； ；0～1  ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ；?1.5％tgdx?0.0001

 ； ； ； ；在Cn＝100pF  ； ； ； ； ；R4＝318.3（W）（即1K/π）時

 ； ； ； ；測量項目 ； ； ； ； ； ；測量范圍 ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ；測量誤差 ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ；

 ； ； ； ；電容量Cx  ； ； ； ； ； ；4pF--2000pF  ； ； ； ； ；?0.5%  ；Cx?3pF  ； ； ； ；

 ； ； ； ；介質損耗tgd  ； ； ； ； ；0～0.1  ； ； ； ； ； ； ； ； ；?1.5％tgdx?0.0001

2.2  ；電橋測量靈敏度

 ； ； ； ；電橋在使用過程中，靈敏度直接影響電橋平衡的分辨程度，為保證測量準確度，

希望電橋靈敏度達到一定的水平。通常情況下電橋靈敏度與測量電壓，標準電容量

成正比。

 ； ； ； ；在下面的計算公式中，用戶可根據實際使用情況估算出電橋靈敏度水平，在這

個水平上的電容與介質損耗因數的微小變化都能夠反應出來。

 ； ； ； ； ； ； ； ； ； ；DC/C或Dtgd=Ig/UwCn(1 Rg/R4 Cn/Cx)  ； ；

 ； ； ； ； ； ； ； ； ；式中：Ｕ為測量電壓 ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ；伏特（Ｖ）

ω為角頻率2pf=314(50Hz)  ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ；

 ； ； ； ； ； ； ； ； ； ；Ｃｎ標準電容器容量 ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ；皮法（pＦ）

 ； ； ； ； ； ； ； ； ； ；Ｉｇ通用指另儀的電流5X10-10  ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ；安培（Ａ）

 ； ； ； ； ； ； ； ； ； ；Ｒｇ平衡指另儀內阻約1500  ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ；歐姆（W）

 ； ； ； ； ； ； ； ； ； ；Ｒ４橋臂R4電阻值3183  ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ；歐姆（W）

 ； ； ； ； ； ； ； ； ； ；Ｃｘ被測試品電容值 ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ；皮法（ｐF）

2.3電容量及介損顯示精度：

 ； ； ； ；電容量：?0.5%?tgδx?0.0001。

 ； ； ； ；介 ；損：?0.5％tgdx?1?10-4

2.4輔橋的技術特性：

 ； ； ； ；工作電壓?12V，50Hz

 ； ； ； ；輸入阻抗>；1012　W

 ； ； ； ；輸出阻抗>；0.6 W

 ； ； ； ；放大倍數>；0.99

 ； ； ； ；不失真跟蹤電壓 ；0～12V（有效值）

2.5指另裝置的技術特性：

 ； ； ； ；工作電壓?12V

 ； ； ； ；在50Hz時電壓靈敏度不低于1X10-6V／格， 電流靈敏度不低于2X10-9A／格

 ； ； ； ；二次諧波 ；減不小于25db

 ； ； ； ；三次諧波 ；減不小于50db

介質損耗：絕緣材料在電場作用下，由于介質電導和介質極化的滯后效應，在其內部引起的能量損耗。也叫介質損失，簡稱介損。在交變電場作用下，電介質內流過的電流相量和電壓相量之間的夾角（功率因數角Φ）的余角δ稱為介質損耗角。

損耗因子也指耗損正切，是交流電被轉化為熱能的介電損耗（耗散的能量）的量度，一般情況下都期望耗損因子低些好。

概念：

電介質在外電場作用下，其內部會有發熱現象，這說明有部分電能已轉化為熱能耗散掉，電介質在電場作用下，在單位時間內因發熱而消耗的能量稱為電介質的損耗功率，或簡稱介質損耗（diclectric loss）。介質損耗是應用于交流電場中電介質的重要品質指標之一。介質損耗不但消耗了電能，而且使元件發熱影響其正常工作。如果介電損耗較大，甚至會引起介質的過熱而絕緣破壞，所以從這種意義上講，介質損耗越小越好。