（一）晶體管材料與極性的判別

1．從晶體管的型號(hào)命名上識(shí)別其材料與極性 國(guó)產(chǎn)晶體管型號(hào)命名的第二部分用英文字母A~D表示晶體管的材料和極性。其中，“A”代表鍺材料PNP型管，“B”代表鍺材料NPN型管，“C”代表硅材料PNP型管，“D”代表硅材料NPN型管。

日本產(chǎn)晶體管型號(hào)命名的第三部分用字母A~D來(lái)表示晶體管的材料和類型（不代表極性）。其中，“A”、“B”為PNP型管，“C”、“D”為NPN型管。通常，“A”、“C”為高頻管，“B”、“D”為低頻管。

歐洲產(chǎn)晶體管型號(hào)命名的第一部分用字母“A”和“B”表示晶體管的材料（不表示NPN或PNP型極性）。其中，“A”表示鍺材料，“B”表示硅材料。

2．從封裝外形上識(shí)別晶體管的引腳 在使用權(quán)晶體管之前，首先要識(shí)別晶體管各引腳的極性。

不同種類、不同型號(hào)、不同功能的晶體管，其引腳排列位置也不同。通過(guò)閱讀上述“晶體管的封裝外形”中的內(nèi)容，可以快速識(shí)別也常用晶體管各引腳的極性。

3．用萬(wàn)用表判別晶體管的極性與材料 對(duì)于型號(hào)標(biāo)志不清或雖有型號(hào)但無(wú)法識(shí)別其引腳的晶體管，可以通過(guò)萬(wàn)用表測(cè)試來(lái)判斷出該晶體管的極性、引腳及材料。

對(duì)于一般小功率晶體管，可以用萬(wàn)用表R×100Ω檔或R×1k檔，用兩表筆測(cè)量晶體管任意兩個(gè)引腳間的正、反向電阻值。

在測(cè)量中會(huì)發(fā)現(xiàn)：當(dāng)黑表筆（或紅表筆）接晶體管的某一引腳時(shí)，用紅表筆（或黑表筆）去分別接觸另外兩個(gè)引腳，萬(wàn)用表上指示均為低阻值。此時(shí)，所測(cè)晶體管與黑表筆（或紅表筆）連接的引腳便是基極B，而別外兩個(gè)引腳為集電極C和發(fā)射極E。若基極接的是紅表筆，則該管為PNP管；若基極接的是黑表筆，則該管國(guó)NPN管。

也可以先假定晶體管的任一個(gè)引腳為基極，與紅表筆或黑表筆接觸，再用另一表筆去分別接觸另外兩個(gè)引腳，若測(cè)出兩個(gè)均較小的電阻值時(shí)，則固定不動(dòng)的表筆所接的引腳便是基極B，而另外兩個(gè)引腳為發(fā)射極E和集電極C。

找到基極B后，再比較基極B與另外兩個(gè)引腳之間正向電阻值的大小。通常，正向電阻值較大的電極為發(fā)射極E，正向電阻值較小的為集電極C。

PNP型晶體管，可以將紅表筆接基極B，用黑表筆分別接觸另外兩個(gè)引腳，會(huì)測(cè)出兩個(gè)略有差異的電阻值。在阻值較小的一次測(cè)量中，黑表筆所接的引腳為集電極C；在阻值較大的一次測(cè)量中，黑表筆所接的引腳為發(fā)射極E。

NPN型晶體管，可將黑表筆接基極B。用紅表筆去分別接觸另外兩個(gè)引腳。在阻值較小的一次測(cè)量中，紅表筆所接的引腳為集電極C；在阻值較大一次測(cè)量中，紅表筆所接的引腳為發(fā)射極E。

通過(guò)測(cè)量晶體管PN結(jié)的正、反向電阻值，還可判斷出晶體管的材料（區(qū)分出是硅管還是鍺管）及好壞。一般鍺管PN結(jié)（B、E極之間或B、C極之間）的正向電阻值為200~500Ω，反向電阻值大于100kΩ；硅管PN結(jié)的正向電阻值為3~15kΩ，反向電阻值大于500kΩ。若測(cè)得晶體管某個(gè)PN結(jié)的正、反向電阻值均為0或均為無(wú)窮大，則可判斷該管已擊穿或開(kāi)路損壞。

（二）晶體管性能的檢測(cè)

1．反向擊穿電流的檢測(cè) 普通晶體管的反向擊穿電流（也稱反向漏電流或穿透電流），可通過(guò)測(cè)量晶體管發(fā)射極E與集電極C之間的電阻值來(lái)估測(cè)。測(cè)量時(shí)，將萬(wàn)用表置于R×1k檔，NPN型管的集電極C接黑表筆，發(fā)射極E接紅表筆；PNP管的集電極C接紅表筆，發(fā)射極E接黑表筆。

正常時(shí)，鍺材料的小功率晶體管和中功率晶體管的電阻值一般大于10Kω（用R×100檔測(cè)，電阻值大于2kΩ），鍺大功率晶體管的電阻值為1.5kΩ（用R×10檔測(cè)）以上。硅材料晶體管的電阻值應(yīng)大于100kΩ（用R×10k檔測(cè)），實(shí)測(cè)值一般為500kΩ以上。

若測(cè)得晶體管C、E極之間的電阻值偏小，則說(shuō)明該晶體管的漏電流較大；若測(cè)得C、E極之間的電阻值接近0，則說(shuō)明其C、E極間已擊穿損壞。若晶體管C、E極之間的電阻值隨著管殼溫度的增高而變小許多，則說(shuō)明該管的熱穩(wěn)定性不良。

也可以用晶體管直流參數(shù)測(cè)試表的ICEO檔來(lái)測(cè)量晶體管的反向擊穿電流。測(cè)試時(shí)，先將hFE/ICEO選擇開(kāi)關(guān)置于ICEO檔，選擇晶體管的極性，將被測(cè)晶體管的三個(gè)引腳插個(gè)測(cè)試孔，然后按下ICEO鍵，從表中讀出反向擊穿電流值即可。

2．放大能力的檢測(cè) 晶體管的放大能力可以用萬(wàn)用表的hFE檔測(cè)量。測(cè)量時(shí)，應(yīng)先將萬(wàn)用表置于ADJ檔進(jìn)行調(diào)零后，再撥至hFE檔，將被測(cè)晶體管的C、B、E三個(gè)引腳分別插入相應(yīng)的測(cè)試插孔中（采用TO-3封裝的大功率晶體管，可將其3個(gè)電極接出3根引線后，再<