脈沖恒流源1000A脈寬50μs-500μs可調(diào)特點(diǎn)

50μs-500μs的脈沖寬度連續(xù)可調(diào)

15μs超快上升沿（典型時(shí)間）

兩路同步測(cè)量電壓0.3mV-18V

0.1%測(cè)試精度

單臺(tái)5A-1000A程控輸出，可多臺(tái)并聯(lián)最高達(dá)6000A

支持過流保護(hù)、異常開路保護(hù)

可快速測(cè)試IGBT或SiC的單管及半橋

可適用于大電流傳感器（階躍）響應(yīng)時(shí)間測(cè)試 ；詳詢一八一四零六六三四七六；

應(yīng)用領(lǐng)域

肖特基二極管

整流橋堆

IGBT器件

IGBT半橋模塊

IPM模塊

普賽斯儀表專業(yè)研究和開發(fā)半導(dǎo)體材料與器件測(cè)試的專業(yè)智能裝備，產(chǎn)品覆蓋半導(dǎo)體領(lǐng)域從晶圓到器件生產(chǎn)全產(chǎn)業(yè)鏈。推出基于高精度數(shù)字源表(SMU）的第三代半導(dǎo)體功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試方案，為SiC和GaN器件提供可靠的測(cè)試手段，實(shí)現(xiàn)功率半導(dǎo)體器件靜態(tài)參數(shù)的高精度、高效率測(cè)量和分析。更多有關(guān)脈沖恒流源1000A脈寬50μs-500μs可調(diào)詳情找普賽斯儀表專員為您解答一八一四零六六三四七六