功率器件測(cè)試設(shè)備第三代半導(dǎo)體靜態(tài)測(cè)試機(jī)解決方案

 為應(yīng)對(duì)各行各業(yè)對(duì)IGBT的測(cè)試需求，武漢普賽斯正向設(shè)計(jì)、精益打造了一款高精密電壓-電流的IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)，可提供IV、CV、跨導(dǎo)等豐富功能的綜合測(cè)試，具有高精度、寬測(cè)量范圍、模塊化設(shè)計(jì)、輕松升級(jí)擴(kuò)展等優(yōu)勢(shì)，旨在全面滿足從基礎(chǔ)功率二極管、MOSFET、BJT、IGBT到寬禁帶半導(dǎo)體SiC、GaN等晶圓、芯片、器件及模塊的靜態(tài)參數(shù)表征和測(cè)試需求。系統(tǒng)采用模塊化集成的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，為用戶后續(xù)靈活添加或升級(jí)測(cè)量模塊提供了極大便捷和優(yōu)性價(jià)比，提高測(cè)試效率以及產(chǎn)線UPH。

IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)支持交互式手動(dòng)操作或結(jié)合探針臺(tái)的自動(dòng)操作，能夠在從測(cè)量設(shè)置和執(zhí)行到結(jié)果分析和數(shù)據(jù)管理的整個(gè)表征過程中實(shí)現(xiàn)高效和可重復(fù)的器件表征。也可與高低溫箱、溫控模塊等搭配使用，滿足高低溫測(cè)試需求。

 IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)主機(jī)內(nèi)部采用的電壓、電流測(cè)量單元，均采用多量程設(shè)計(jì)，測(cè)試精度為0.1%。其中，柵極-發(fā)射極，Z大支持30V@10A脈沖電流輸出與測(cè)試，可測(cè)試低至pA漏電流；集電極-發(fā)射極，Z大支持6000A高速脈沖電流，典型上升時(shí)間為15μs，且具備電壓高速同步采樣功能；Z高支持3500V(可擴(kuò)展至10kV)電壓輸出，且自帶漏電流測(cè)量功能。電容特性測(cè)試，包括輸入電容，輸出電容，以及反向傳輸電容測(cè)試，頻率Z高支持1MHz，可靈活選配。

系統(tǒng)優(yōu)勢(shì)/Feature

PART01

IGBT等大功率器件由于其功率特點(diǎn)極易產(chǎn)生大量熱量，施加應(yīng)力時(shí)間長(zhǎng)，溫度迅速上升，嚴(yán)重時(shí)會(huì)使器件損壞，且不符合器件工作特性。普賽斯高壓模塊建立的時(shí)間小于5ms，在測(cè)試過程中能夠減少待測(cè)物加電時(shí)間的發(fā)熱。

PART02

高壓下漏電流的測(cè)試能力，測(cè)試覆蓋率優(yōu)于國(guó)際品牌。市面上絕大多數(shù)器件的規(guī)格書顯示，小模塊在高溫測(cè)試時(shí)漏電流一般大于5mA，而車規(guī)級(jí)三相半橋高溫下漏電大于50mA。以HITACH  Spec.No.IGBT-SP-05015 R3規(guī)格書為例：3300V，125℃測(cè)試條件下ICES典型值14mA，Z大40mA。普賽斯靜態(tài)系統(tǒng)高壓模塊測(cè)試幾乎可以W美應(yīng)對(duì)所有類型器件的漏電流測(cè)試需求。

PART03

此外，VCE(sat)測(cè)試是表征  IGBT  導(dǎo)通功耗的主要參數(shù)，對(duì)開關(guān)功耗也有一定的影響。需要使用高速窄脈沖電流源，脈沖上升沿速度要足夠快時(shí)才能減小器件發(fā)熱，同時(shí)設(shè)備需要有同步采樣電壓功能。

IGBT靜態(tài)測(cè)試系統(tǒng)大電流模塊：50us—500us  的可調(diào)電流脈寬，上升邊沿在 15us(典型值)，減少待測(cè)物在測(cè)試過程中的發(fā)熱，使測(cè)試結(jié)果更加準(zhǔn)確。下圖為 1000A  波形：

PART04

快速靈活的客制化夾具解決方案：強(qiáng)大的測(cè)試夾具解決方案對(duì)于保證操作人員安全和支持各種功率器件封裝類型極為重要。不論器件的大小或形狀如何，普賽斯均可以快速響應(yīng)用戶需求，提供靈活的客制化夾具方案。夾具具有低阻抗、安裝簡(jiǎn)單、種類豐富等特點(diǎn)，可用于二極管、三極管、場(chǎng)效應(yīng)晶體管、IGBT、SiC  MOS、GaN等單管，模組類產(chǎn)品的測(cè)試。

結(jié)束語

IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)作為J端產(chǎn)品，以往在國(guó)際市場(chǎng)上只被少數(shù)企業(yè)掌握。全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展以及先進(jìn)半導(dǎo)體制造設(shè)備保有國(guó)出口管制的升級(jí)，對(duì)國(guó)產(chǎn)設(shè)備廠家來說既是挑戰(zhàn)也是機(jī)遇。未來，武漢普賽斯將充分發(fā)揮自身的技術(shù)和創(chuàng)新優(yōu)勢(shì)，持續(xù)推動(dòng)J端產(chǎn)品落地應(yīng)用，真正做到以技術(shù)創(chuàng)造更多價(jià)值。功率器件測(cè)試設(shè)備第三代半導(dǎo)體靜態(tài)測(cè)試機(jī)就找武漢普賽斯儀表，詳詢一八一四零六六三四七六；