美國 KRi 射頻離子源應用于氧化物薄膜及異質結制備系統
上海伯東美國 KRi 射頻離子源 RFICP 40 成功應用于氧化物薄膜及異質結制備系統, 協助客戶完成 MgO, Y2O3, Al2O3 等金屬氧化物在 6寸單晶硅上均勻沉積多層膜的需要, 單晶硅鍍氧化薄膜的工藝過程, 用于研發磁學薄膜, 半導體薄膜, 光學薄膜和高溫超導薄膜等.
KRi 射頻離子源在氧化物薄膜及異質結制備系統中的作用
設備: 氧化物薄膜及異質結制備系統
離子源型號: KRi 射頻離子源 RFICP 40, 功率 600W, 頻率 2MHz
應用: 通過 IBAD 輔助鍍膜工藝, 實現單晶硅氧化物薄膜的制備.
膜厚均勻性: 6 英寸樣品, 蒸 MgO 薄膜 200nm, 片內測試 9 個點. 片內均勻性 ≤?5%, 片間膜厚均勻性 ≤?5%, 批次間膜厚均勻性≤?5%

真空環境下, KRi 射頻離子源通過向生長的薄膜中添加能量來增強分子動力學, 以增加表面和原子 / 分子的流動性, 實現薄膜的致密化或通過向生長薄膜中添加活性離子來增強薄膜化合物的化學轉化, 從而得到需要的材料. 同時 KRi 射頻離子源可以對工藝過程優化, 無需加熱襯底, 對溫度敏感材料進行低溫處理, 簡化反應沉積.

美國 KRi 射頻離子源 RFICP 40 特點:
RFICP 40 是美國 KRi 射頻離子源系列尺寸最小, 低成本高效離子源. 適用于集成在小型的真空腔體內. 設計采用創新的柵極技術用于研發和開發應用, 無需電離燈絲設計, 適用于通氣氣體是活性氣體時的工業應用. 標準配置下 RFICP 40 離子能量范圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過 120 mA.

上海伯東美國 KRi RF 射頻離子源無需燈絲提供高能量, 低濃度的離子束, 通過柵極控制離子束的能量和方向, 單次工藝時間更長!  提供完整的系列, 包含離子源本體, 電子供應器, 中和器, 自動控制器等. 適合多層膜的制備, 離子濺鍍鍍膜和離子蝕刻, 改善靶材的致密性, 光透射, 均勻性, 附著力等.


上海伯東同時提供各類真空系統所需的渦輪分子泵, 真空規, 高真空插板閥等產品, 協助客戶生產研發高質量的真空系統.
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項專利. KRi 離子源在真空環境中實現薄膜沉積, 干式納米刻蝕和修改材料表面性能, 廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域.

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