KRI 離子源應(yīng)用于有機(jī)材料熱蒸鍍設(shè)備 OLED, OPV
有機(jī)金屬熱沉積系統(tǒng)是一種熱蒸發(fā)的方式, 用于將有機(jī)或金屬材料沉積到基板表面上.該過程需要通過精確控制溫度和沉積速率來實(shí)現(xiàn)薄膜的高精度和均勻性. 上海伯東美國 KRI 考夫曼離子源可用于基板清潔和加速材料的蒸發(fā)速度, 并且 KRI 離子源在材料沉積過程中可幫助沉積并使沉積后的薄膜更為致密. 有機(jī)材料熱沉積系統(tǒng)使用高精準(zhǔn)熱蒸發(fā)源作為加熱源, 并使用金屬, 石英, 陶瓷或 PBN 坩堝來容納有機(jī)材料以及 PID 控制器來控制其沉積速率. 該系統(tǒng)通常用于有機(jī)電子研究領(lǐng)域, 例如 OPV, OLED, OPD...

------ 有機(jī)材料熱蒸鍍設(shè)備 OLED, OPV -----
上海伯東美國 KRI 射頻離子源 RFICP 系列, 無需燈絲提供高能量, 低濃度的離子束, 通過柵極控制離子束的能量和方向, 單次工藝時(shí)間更長! 射頻源 RFICP  系列提供完整的套裝, 套裝包含離子源本體, 電子供應(yīng)器, 中和器, 自動(dòng)控制器等. 射頻離子源適合多層膜的制備, 離子濺鍍鍍膜和離子蝕刻, 有效改善靶材的致密性, 光透射, 均勻性, 附著力等.

射頻離子源 RFICP 系列技術(shù)參數(shù):

型號	RFICP 40	RFICP 100	RFICP 140	RFICP 220	RFICP 380
Discharge 陽極	RF 射頻	RF 射頻	RF 射頻	RF 射頻	RF 射頻
離子束流	>100 mA	>350 mA	>600 mA	>800 mA	>1500 mA
離子動(dòng)能	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V
柵極直徑	4 cm Φ	10 cm Φ	14 cm Φ	20 cm Φ	30 cm Φ
離子束	聚焦, 平行, 散射
流量	3-10 sccm	5-30 sccm	5-30 sccm	10-40 sccm	15-50 sccm
通氣	Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型壓力	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr
長度	12.7 cm	23.5 cm	24.6 cm	30 cm	39 cm
直徑	13.5 cm	19.1 cm	24.6 cm	41 cm	59 cm
中和器	LFN 2000

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