KRI 離子源應(yīng)用于超高真空電子束蒸鍍設(shè)備 UHV E-beam System
超高真空環(huán)境的特征為其真空壓力低于 10-8 至 10-12 torr, 超高真空環(huán)境對于科學(xué)研究非常重要, 因為實驗通常要求在整個實驗過程中, 表面應(yīng)保持無污染狀態(tài)和使用低能電子和離子的實驗技術(shù)的使用, 而不會受到氣相散射的過度干擾, 在這樣超高真空環(huán)境下使用電子束蒸鍍可以提供高質(zhì)量的薄膜. 上海伯東代理美國 KRI 考夫曼離子源可以在蒸鍍過程中實現(xiàn)預(yù)清潔和輔助鍍膜的作用.


如上圖是超高真空電子束蒸鍍設(shè)備, 針對超高真空和高溫加熱設(shè)計基板旋轉(zhuǎn)鍍膜機(jī)構(gòu), 使用陶瓷培林旋轉(zhuǎn), 并在內(nèi)部做水冷循環(huán)來保護(hù)機(jī)構(gòu)以確保長時間運轉(zhuǎn)的穩(wěn)定性.

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