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KRI 射頻離子源用于碳化硅微納結(jié)構(gòu)表面刻蝕

價格:面議瀏覽:187次聯(lián)系:張婷婷 / 15021001340 / 0755-25473928企業(yè):伯東貿(mào)易(深圳)有限公司留言店鋪收藏

為了解決飛秒激光加工硬質(zhì)材料所帶來的表面質(zhì)量差的問題, 國內(nèi)某制造商用伯東聚焦型射頻離子源 RFICP 380 輔助飛秒激光加工技術(shù)對碳化硅微納結(jié)構(gòu)表面進(jìn)行刻蝕.

伯東 KRI 聚焦型射頻離子源 RFICP 380 技術(shù)參數(shù):

射頻離子源型號

RFICP 380

Discharge 陽極

射頻 RFICP

離子束流

>1500 mA

離子動能

100-1200 V

柵極直徑

30 cm Φ

離子束

聚焦

流量

15-50 sccm

通氣

Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

典型壓力

< 0.5m Torr

長度

39 cm

直徑

59 cm

中和器

LFN 2000

 

推薦理由:

使用 KRI 聚焦型射頻離子源 RFICP 380可以準(zhǔn)確、靈活地對樣品選定的區(qū)域進(jìn)行刻蝕、減薄.

 

工藝簡介:

在碳化硅表面制備微納結(jié)構(gòu)圖形, 然后通過 KRI 聚焦型射頻離子源 RFICP 380 對碳化硅微納結(jié)構(gòu)進(jìn)行刻蝕, 以調(diào)控結(jié)構(gòu)的線寬和深度.

 

運(yùn)行結(jié)果:

1. 結(jié)構(gòu)表面粗糙度由約 106nm 降低到 11.8nm

2. 碳化硅線條結(jié)構(gòu)周圍的毛刺基本消失, 線條結(jié)構(gòu)表面的粗糙度得到顯著改善, 降低結(jié)構(gòu)表面的粗糙度實現(xiàn)高平滑度微光學(xué)元件的制備

3. 通過 KRI 聚焦型射頻離子源 RFICP 380 碳化硅菲涅爾波帶片展現(xiàn)出良好的聚焦和成像效果

 

伯東是德國 Pfeiffer 真空泵, 檢漏儀, 質(zhì)譜儀, 真空計, 美國 KRI 考夫曼離子源, 美國HVA 真空閥門, 美國 inTEST 高低溫沖擊測試機(jī), 美國 Ambrell 感應(yīng)加熱設(shè)備和日本 NS 離子蝕刻機(jī)等進(jìn)口知名品牌的指定代理商.

 

 

若您需要進(jìn)一步的了解詳細(xì)信息或討論, 請參考以下聯(lián)絡(luò)方式:

上海伯東: 羅先生                               臺灣伯東: 王女士
T: 86-21-5046-1322                   T: 886-3-567-9508 ext 161
F: 86-21-5046-1490                        F: 886-3-567-0049
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