價格：面議瀏覽：185次聯(lián)系：張婷婷 / 15021001340 / 0755-25473928企業(yè)：伯東貿(mào)易(深圳)有限公司留言店鋪收藏
重慶某研究所在在氮化硅刻蝕工藝研究中采用 hakuto 離子刻蝕機(jī) 7.5IBE.
Hakuto 離子蝕刻機(jī) 7.5IBE 技術(shù)規(guī)格:
真空腔 | 1 set, 主體不銹鋼,水冷 |
基片尺寸 | 1 set, 4”/6”? Stage, 直接冷卻, |
離子源 | ? 8cm 考夫曼離子源 KDC75 |
離子束入射角 | 0 Degree～? 90 Degree |
極限真空 | ≦1x10-4 Pa |
刻蝕性能 | 一致性: ≤?5% across 4” |
該 Hakuto 離子刻蝕機(jī) 7.5IBE 的核心構(gòu)件離子源是配伯東公司代理美國考夫曼博士創(chuàng)立的 KRI考夫曼公司的考夫曼離子源 KDC 75
.jpg)
伯東美國 KRI 考夫曼離子源 KDC75 技術(shù)參數(shù)：
離子源型號 | 離子源 KDC 75 |
Discharge | DC 熱離子 |
離子束流 | >250 mA |
離子動能 | 100-1200 V |
柵極直徑 | 7.5 cm Φ |
離子束 | 聚焦, 平行, 散射 |
流量 | 2-15 sccm |
通氣 | Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
典型壓力 | < 0.5m Torr |
長度 | 20.1 cm |
直徑 | 14 cm |
中和器 | 燈絲 |
針對氮化硅刻蝕工藝中硅襯底刻蝕損失的問題, 為了提高氮化硅對二氧化硅的刻蝕選擇比, 采用 CF4, CH3F和O2這3種混合氣體刻蝕氮化硅, 通過調(diào)整氣體流量比, 腔內(nèi)壓強(qiáng)及功率, 研究其對氮化硅刻蝕速率、二氧化硅刻蝕速率及氮化硅對二氧化硅選擇比等主要刻蝕參數(shù)的影響.
若您需要進(jìn)一步的了解詳細(xì)產(chǎn)品信息或討論 , 請參考以下聯(lián)絡(luò)方式 :
上海伯東 : 羅先生 臺灣伯東 : 王小姐
T: 86-21-5046-1322 T: 886-3-567-9508 ext 161
F: 86-21-5046-1490 F: 886-3-567-0049
M: 86 152-0195-1076 M: 886-939-653-958
www.hakuto-china.cn www.hakuto-vacuum.com.tw
伯東版權(quán)所有, 翻拷必究!
業(yè)務(wù)咨詢：932174181 媒體合作：2279387437 24小時服務(wù)熱線：15136468001 盤古機(jī)械網(wǎng) － 全面、科學(xué)的機(jī)械行業(yè)免費發(fā)布信息網(wǎng)站 Copyright 2017 PGJXO.COM 豫ICP備12019803號