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深圳某電子公司采用Hakuto 離子蝕刻機(jī) 20IBE-J 對(duì)陶瓷板的 Pt、Au、Cr 薄膜刻蝕, 高端印制電路板生產(chǎn)為主
Hakuto 離子蝕刻機(jī) 20IBE-J 技術(shù)參數(shù)
Φ4 inch X 12片 | 基片尺寸 | Φ4 inch X 12片 Φ5 inch X 10片 Φ6 inch X 8片 |
均勻性 | ?5% | |
硅片刻蝕率 | 20 nm/min | |
樣品臺(tái) | 直接冷卻,水冷 | |
離子源 | Φ20cm 考夫曼離子源 |
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Hakuto 離子刻蝕機(jī) 20IBE-J 的核心構(gòu)件離子源采用的是伯東公司代理美國(guó) 考夫曼博士創(chuàng)立的 KRI考夫曼公司的射頻離子源 RFICP220
伯東 KRI 射頻離子源 RFICP 220 技術(shù)參數(shù):
離子源型號(hào) | RFICP 220 |
Discharge | RFICP 射頻 |
離子束流 | >800 mA |
離子動(dòng)能 | 100-1200 V |
柵極直徑 | 20 cm Φ |
離子束 | 聚焦, 平行, 散射 |
流量 | 10-40 sccm |
通氣 | Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
典型壓力 | < 0.5m Torr |
中和器 | LFN 2000 |
推薦 Hakuto 離子蝕刻機(jī) 20IBE-J 理由:
1. 客戶(hù)要求規(guī)模化生產(chǎn), Hakuto 離子蝕刻機(jī) 20IBE-J 適合大規(guī)模量產(chǎn)使用
2. 刻蝕均勻性 ?5%, 滿(mǎn)足客戶(hù)要求
3. 工作臺(tái)冷卻方式: 直接水冷
4. 樣品裝載數(shù): 18片/批（2″）或4片/批（4″）
若您需要進(jìn)一步的了解詳細(xì)產(chǎn)品信息或討論 , 請(qǐng)參考以下聯(lián)絡(luò)方式 :
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