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高頻塑料介電常數測試儀

高頻塑料介電常數測試儀

價格:28650元瀏覽:227次聯系:劉元元 / 15132636097 / 企業:北京北廣精儀儀器設備有限公司留言店鋪收藏

高頻塑料介電常數測試儀  Q值測量

   a.Q值測量范圍:2~1023。

   b.Q值量程分檔:30、100、300、1000、自動換檔或手動換檔。

 c.標稱誤差

高頻塑料介電常數測試儀  

頻率范圍20kHz~10MHz;

固有誤差≤5%

工作誤差≤7%

頻率范圍10MHz~60MHz;

固有誤差≤6%

工作誤差≤8%

主要配置:

a.測試主機一臺;

b.電感9只;

c.夾具一 套

離子晶體的損耗

離子晶體的介質損耗與其結構的緊密程度有關。

緊密結構的晶體離子都排列很有規則,鍵強度比較大,如α-Al2O3、鎂橄欖石晶體等,在外電場作用下很難發生離子松弛極化,只有電子式和離子式的位移極化,所以無極化損耗,僅有的一點損耗是由漏導引起的(包括本質電導和少量雜質引起的雜質電導)。這類晶體的介質損耗功率與頻率無關,損耗角正切隨頻率的升高而降低。因此,以這類晶體為主晶相的陶瓷往往用在高頻場合。如剛玉瓷、滑石瓷、金紅石瓷、鎂橄欖石瓷等

結構松散的離子晶體,如莫來石(3Al2O3?2SiO2)、董青石(2MgO?2Al2O3?5SiO2)等,其內部有較大的空隙或晶格畸變,含有缺陷和較多的雜質,離子的活動范圍擴大。在外電場作用下,晶體中的弱聯系離子有可能貫穿電極運動,產生電導打耗。弱聯系離子也可能在一定范圍內來回運動,形成熱離子松弛,出現極化損耗。所以這類晶體的介質損耗較大,由這類品體作主晶相的陶瓷材料不適用于高頻,只能應用于低頻場合。

高分子材料的損耗

高分子聚合物電介質按單體單元偶極矩的大小可分為極性和非極性兩類。一般地,偶極矩在0~0.5D(德拜)范圍內的是非極性高聚物;偶極矩在0.5D以上的是極性高聚物。非極性高聚物具有較低的介電常數和介質損耗,其介電常數約為2,介質損耗小于10-4;極性高聚物則具有較高的介電常數和介質損耗,并且極性愈大,這兩個值愈高。

高聚物的交聯通常能阻礙極性基團的取向,因此熱固性高聚物的介電常數和介質損耗均隨交聯度的提高而下降。酚醛樹脂就是典型的例子,雖然這種高聚物的極性很強,但只要固化比較完全,它的介質損耗就不高。相反,支化使分子鏈間作用力減弱,分子鏈活動能力增強,介電常數和介質損耗均增大。

高聚物的凝聚態結構及力學狀態對介電性景響也很大。結品能抑制鏈段上偶極矩的取向極化,因此高聚物的介質損耗隨結晶度升高而下降。當高聚物結晶度大于70%時,鏈段上的偶極的極化有時完全被抑制,介電性能可降至最低值,同樣的道理,非晶態高聚物在玻璃態下比在高彈態下具有更低的介質損耗。此外,高聚物中的增塑利、雜質等對介電性能也有很大景響。

電感:

線圈號   測試頻率   Q值    分布電容p       電感值  

  9         100KHz      98       9.4           25mH

  8         400KHz     138       11.4        4.87mH

  7         400KHz    202       16           0.99mH

  6           1MHz     196       13          252μH

  5           2MHz     198       8.7        49.8μH

  4         4.5MHz    231       7             10μH

  3          12MHz      193     6.9         2.49μH

  2          12MHz      229     6.4        0.508μH            

  1   25MHz,50MHz   233,211    0.9       0.125μH

介質損耗:絕緣材料在電場作用下,由于介質電導和介質極化的滯后效應,在其內部引起的能量損耗。也叫介質損失,簡稱介損。在交變電場作用下,電介質內流過的電流相量和電壓相量之間的夾角(功率因數角Φ)的余角δ稱為介質損耗角。

損耗因子也指耗損正切,是交流電被轉化為熱能的介電損耗(耗散的能量)的量度,一般情況下都期望耗損因子低些好。

輔橋的技術特性:

    工作電壓?12V,50Hz

    輸入阻抗>1012 W

    輸出阻抗>0.6 W

    放大倍數>0.99

不失真跟蹤電壓 0~12V(有效值)

電容測量:1~205

     主電容調節范圍:18~220pF

     準確度:150pF以下?1.5pF;150pF以上?1%

     注:大于直接測量范圍的電容測量見后頁使用說明

離子晶體的損耗

離子晶體的介質損耗與其結構的緊密程度有關。

緊密結構的晶體離子都排列很有規則,鍵強度比較大,如α-Al2O3、鎂橄欖石晶體等,在外電場作用下很難發生離子松弛極化,只有電子式和離子式的位移極化,所以無極化損耗,僅有的一點損耗是由漏導引起的(包括本質電導和少量雜質引起的雜質電導)。這類晶體的介質損耗功率與頻率無關,損耗角正切隨頻率的升高而降低。因此,以這類晶體為主晶相的陶瓷往往用在高頻場合。如剛玉瓷、滑石瓷、金紅石瓷、鎂橄欖石瓷等

結構松散的離子晶體,如莫來石(3Al2O3?2SiO2)、董青石(2MgO?2Al2O3?5SiO2)等,其內部有較大的空隙或晶格畸變,含有缺陷和較多的雜質,離子的活動范圍擴大。在外電場作用下,晶體中的弱聯系離子有可能貫穿電極運動,產生電導打耗。弱聯系離子也可能在一定范圍內來回運動,形成熱離子松弛,出現極化損耗。所以這類晶體的介質損耗較大,由這類品體作主晶相的陶瓷材料不適用于高頻,只能應用于低頻場合。

特點:

◎ 本公司創新的自動Q值保持技術,使測Q分辨率至0.1Q,使tanδ分辨率至0.00005。

◎ 能對固體絕緣材料在10kHz~120MHz介質損耗角(tanδ)和介電常數(ε)變化的測試。

◎ 調諧回路殘余電感值低至8nH,保證100MHz的(tanδ)和(ε)的誤差較小。

◎ 特制LCD屏菜單式顯示多參數:Q值,測試頻率,調諧狀態等。

◎Q值量程自動/手動量程控制。

◎DPLL合成發生1kHz~60MHz, 50kHz~160MHz測試信號。獨立信號 源輸出口,所以本機又是一臺合成信號源。

◎ 測試裝置符合國標GB/T 1409-2006,美標ASTM D150以及IEC60250規范要求。

玻璃的損耗

復雜玻璃中的介質損耗主要包括三個部分:電導耗、松弛損耗和結構損耗。哪一種損耗占優勢,取決于外界因素溫度和電場頻率。高頻和高溫下,電導損耗占優勢:在高頻下,主要的是由弱聯系離子在有限范圍內移動造成的松弛損耗:在高頻和低溫下,主要是結構損耗,其損耗機理目前還不清楚,可能與結構的緊密程度有關。般來說,簡單玻璃的損耗是很小的,這是因為簡單玻璃中的“分子”接近規則的排列,結構緊密,沒有弱聯系的松弛離子。在純玻璃中加人堿金屬化物后。介質損耗大大增加,并且隨著加人量的增大按指數規律增大。這是因為堿性氧化物進人玻璃的點陣結構后,使離子所在處點陣受到破壞,結構變得松散,離子活動性增大,造成電導損耗和松弛損耗增加。

帶屏蔽的簡單西林電橋

 橋的B點(在測量臂邊的電源接線端子)與屏蔽相連并接地。

 屏蔽能很好地起到防護高壓邊影響的作用,但是增加了屏蔽與接到測量臂接線端M和N的各根導線之間電容.此電容承受跨接測量臂兩端的電壓 這樣會引人一個通常使tans的測量精度限于0.1%數量級的誤差,當電容CX和CN不平衡時尤為顯著。

漏導損耗

實際使用中的絕緣材料都不是完善的理想的電介質,在外電場的作用下,總有一些帶電粒子會發生移動而引起微弱的電流,這種微小電流稱為漏導電流,漏導電流流經介質時使介質發熱而損耗了電能。這種因電導而引起的介質損耗稱為“漏導損耗”。由于實阿的電介質總存在一些缺陷,或多或少存在一些帶電粒子或空位,因此介質不論在直流電場或交變電場作用下都會發生漏導損耗。

介質損耗:絕緣材料在電場作用下,由于介質電導和介質極化的滯后效應,在其內部引起的能量損耗。也叫介質損失,簡稱介損。在交變電場作用下,電介質內流過的電流相量和電壓相量之間的夾角(功率因數角Φ)的余角δ稱為介質損耗角。

損耗因子也指耗損正切,是交流電被轉化為熱能的介電損耗(耗散的能量)的量度,一般情況下都期望耗損因子低些好[1]  。

濕度

 極化的程度隨水分的吸收量或電介質材料表面水膜的形成而增加,其結果使電容率、介質損耗因數和直流電導率增大。因此試驗前和試驗時對環境濕度進行控制是必不可少的.

 注:濕度的顯著影響常常發生在1MHz以下及微波頻率范圍內

安全措施

(1)高壓保護:試品短路、擊穿或高壓電流波動,能迅速切斷高壓輸出。

(2)CVT保護:設定自激電壓的過流點,一旦超出設置的電流值,儀器自動退出測量,不會損壞設備。

(3)接地檢測:儀器有接地檢測功能,未接地時不能升壓測量。

(4)防誤操作:具備防誤操作設計,能判別常見接線錯誤,安全報警。

(5)防“容升”:測量大容量試品時會出現電壓抬高的“容升”效應,儀器能自動跟蹤輸出電壓,保持試驗電壓恒定。

頻率

 因為只有少數材料如石英玻璃、聚苯乙烯或聚乙烯在很寬的頻率范圍內它們的。r和tans幾乎是恒定的,且被用作工程電介質材料,然而一般的電介質材料必須在所使用的頻率下測量其介質損耗因數和電容率。

 電容率和介質損耗因數的變化是由于介質極化和電導而產生,最重要的變化是極性分子引起的偶極子極化和材料的不均勻性導致的界面極化所引起的.

高分子材料的損耗

高分子聚合物電介質按單體單元偶極矩的大小可分為極性和非極性兩類。一般地,偶極矩在0~0.5D(德拜)范圍內的是非極性高聚物;偶極矩在0.5D以上的是極性高聚物。非極性高聚物具有較低的介電常數和介質損耗,其介電常數約為2,介質損耗小于10-4;極性高聚物則具有較高的介電常數和介質損耗,并且極性愈大,這兩個值愈高。

高聚物的交聯通常能阻礙極性基團的取向,因此熱固性高聚物的介電常數和介質損耗均隨交聯度的提高而下降。酚醛樹脂就是典型的例子,雖然這種高聚物的極性很強,但只要固化比較完全,它的介質損耗就不高。相反,支化使分子鏈間作用力減弱,分子鏈活動能力增強,介電常數和介質損耗均增大。

高聚物的凝聚態結構及力學狀態對介電性景響也很大。結品能抑制鏈段上偶極矩的取向極化,因此高聚物的介質損耗隨結晶度升高而下降。當高聚物結晶度大于70%時,鏈段上的偶極的極化有時完全被抑制,介電性能可降至最低值,同樣的道理,非晶態高聚物在玻璃態下比在高彈態下具有更低的介質損耗。此外,高聚物中的增塑利、雜質等對介電性能也有很大景響。

關于儀器返廠維修:1、維修維護全面 :設備損壞后,使用者往往對設備損壞情況描述不清、不全面,經常會出現技術人員到達現場之后,發現工具不全或者零配件需要更換卻沒有提前準備零配件,常常會造成被動或者維修遲緩的局面,耽誤客戶使用。設備返廠維修,廠內零配件及工具齊全,技術人員在維修設備同時,按照公司要求會利用廠內設施為返廠的設備做系統的維護,將一些細微的毛病及早解決。2、響應速度快 :設備損壞后,我們即使以最快的速度為您安排相關的技術人員出差,也要走流程等待技術部門安排具體的人員出差,往往需要一定時間。有時因為技術人員連續出差,耽擱在某地,偶爾還會耽誤與客戶提前約定好的時間。 現在物流快遞行業發達,全國各地運輸都很快捷方便,返廠維修往往能更省事省力。

 

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