GEIC693CHS392

在測(cè)量漏源電壓VDS的上升時(shí)間tr和下降時(shí)間tf，或流經(jīng)Q1和Q2的電流上升率di/dt 時(shí)，可以很明顯看到這一點(diǎn)。這也表示，我們可以很簡單地通過減緩Q1或Q2的通斷速度來降低電磁干擾水平。事實(shí)正是如此，延長開關(guān)時(shí)間的確對(duì)頻率高于 f=1/πtr的諧波有很大影響。不過，此時(shí)必須在增加散熱和降低損耗間進(jìn)行折中。盡管如此，對(duì)這些參數(shù)加以控制仍是一個(gè)好方法

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它有助于在電磁干擾和熱性能間取得平衡。具體可以通過增加一個(gè)小阻值電阻(通常小于5Ω)實(shí)現(xiàn)，該電阻與Q1和Q2的柵極串聯(lián)即可控制tr和tf，你也可以給柵極電阻串聯(lián)一個(gè) “關(guān)斷二極管”來獨(dú)立控制過渡時(shí)間tr或tf(見圖3)。這其實(shí)是一個(gè)迭代過程，甚至連經(jīng)驗(yàn)最豐富的電源設(shè)計(jì)人員都使用這種方法。我們的最終目標(biāo)是通過放慢晶體管的通斷速度，使電磁干擾降低至可接受的水平，同時(shí)保證其溫度足夠低以確保穩(wěn)定性。

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IC693APU300
IC693BEM331
IC693CBL328 
IC693CBL329 
IC693CBL330
IC693CHS391
IC693CHS392
IC693CHS398
IC693CHS398
IC693CMM302
IC693CMM311
IC693CMM321
IC693CMM321-CC
IC693CMM321-JJ
IC693CPU350
IC693CPU350
IC693CPU364
IC693CPU372
IC693CPU374
IC693CPU374
IC693CPU374
IC693DNM200
IC693DNS201 
IC693DSM302
IC693MDL350
IC693MDL655
IC693MDL655
IC693MDL655
IC693MDL660
IC693MDL740
IC693MDL752
IC693MDL752
IC693MDL754
IC693MDL930
IC693MDL940
IC693MDR390
IC693NIU004
IC693PBM200
IC693PCM301