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上海伯東代理美國原裝進口 KRi 射頻離子源 RFICP 220

上海伯東代理美國原裝進口 KRi 射頻離子源 RFICP 220

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射頻離子源 RFICP 220

KRi 射頻離子源 RFICP 220
上海伯東代理美國原裝進口 KRi 射頻離子源 RFICP 220 高能量柵極離子源, 適用于離子濺鍍, 離子沉積和離子蝕刻. 在離子束濺射工藝中, 射頻離子源 RFICP 220 配有離子光學元件, 可以很好的控制離子束去濺射靶材, 實現更佳的薄膜特性. 同樣的在離子束輔助沉積和離子束刻蝕工藝中, 離子光學元件能夠完成發散和聚集離子束的任務. 標準配置下射頻離子源 RFICP 220 離子能量范圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過 1000 mA.
KRi 射頻離子源 RFICP220
KRI 射頻離子源 RFICP 220 技術參數:

陽極

電感耦合等離子體
2kW & 2 MHz
射頻自動匹配

最大陽極功率

>1kW

最大離子束流

> 1000mA

電壓范圍

100-1200V

離子束動能

100-1200eV

氣體

Ar, O2, N2, 其他

流量

5-50 sccm

壓力

< 0.5mTorr

離子光學, 自對準

OptiBeamTM

離子束柵極

22cm Φ

柵極材質

離子束流形狀

平行,聚焦,散射

中和器

LFN 2000, MHC 1000

高度

30 cm

直徑

41 cm

鎖緊安裝法蘭

10”CF


KRI 射頻離子源 RFICP 220 基本尺寸
射頻離子源 RFICP220
射頻離子源中和器
KRI 射頻離子源 RFICP 220 應用領域:
預清洗
表面改性
輔助鍍膜 (光學鍍膜) IBAD,
濺鍍和蒸發鍍膜 PC
離子濺射沉積和多層結構 IBSD
離子蝕刻 IBE
射頻離子源 RFICP 220 集成于半導體設備, 實現 8寸芯片蝕刻
射頻離子源 RFICP220
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產寬束離子源, 根據設計原理分為考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項專利. KRi 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光工藝 IBF 等領域, 上海伯東是美國 KRi 考夫曼離子源中國總代理.

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上海伯東 : 羅先生                               臺灣伯東 : 王小姐
T: 86-21-5046-1322                   T: 886-3-567-9508 ext 161
F: 86-21-5046-1490                        F: 886-3-567-0049
M: 86 152-0195-1076                     M: 886-939-653-958
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