橡膠介質(zhì)損耗測試儀  介質(zhì)損耗（dielectric loss）指的是絕緣材料在電場作用下，由于介質(zhì)電導和介質(zhì)極化的滯后效應，在其內(nèi)部引起的能量損耗。也叫介質(zhì)損失，簡稱介損。

介質(zhì)損耗因數(shù)（dielectric loss factor）指的是衡量介質(zhì)損耗程度的參數(shù)。

橡膠介質(zhì)損耗測試儀  離子晶體的損耗

離子晶體的介質(zhì)損耗與其結構的緊密程度有關。

緊密結構的晶體離子都排列很有規(guī)則，鍵強度比較大，如α-Al2O3、鎂橄欖石晶體等，在外電場作用下很難發(fā)生離子松弛極化，只有電子式和離子式的位移極化，所以無極化損耗，僅有的一點損耗是由漏導引起的（包括本質(zhì)電導和少量雜質(zhì)引起的雜質(zhì)電導）。這類晶體的介質(zhì)損耗功率與頻率無關，損耗角正切隨頻率的升高而降低。因此，以這類晶體為主晶相的陶瓷往往用在高頻場合。如剛玉瓷、滑石瓷、金紅石瓷、鎂橄欖石瓷等

結構松散的離子晶體，如莫來石（3Al2O3?2SiO2）、董青石（2MgO?2Al2O3?5SiO2）等，其內(nèi)部有較大的空隙或晶格畸變，含有缺陷和較多的雜質(zhì)，離子的活動范圍擴大。在外電場作用下，晶體中的弱聯(lián)系離子有可能貫穿電極運動，產(chǎn)生電導打耗。弱聯(lián)系離子也可能在一定范圍內(nèi)來回運動，形成熱離子松弛，出現(xiàn)極化損耗。所以這類晶體的介質(zhì)損耗較大，由這類品體作主晶相的陶瓷材料不適用于高頻，只能應用于低頻場合。

Q值測量

   a．Q值測量范圍：2～1023。

   b．Q值量程分檔：30、100、300、1000、自動換檔或手動換檔。

 c．標稱誤差

項   目GDAT-A

頻率范圍20kHz～10MHz；

固有誤差≤5％

工作誤差≤7％

頻率范圍10MHz～60MHz；

固有誤差≤6％

工作誤差≤8％

結構損耗

在高頻電場和低溫下，有一類與介質(zhì)內(nèi)鄰結構的緊密度密切相關的介質(zhì)損耗稱為結構損耗。這類損耗與溫度關系不大，耗功隨頻率升高而增大。

試驗表明結構緊密的晶體成玻璃體的結構損耗都很小，但是當某此原因（如雜質(zhì)的摻入、試樣經(jīng)淬火急冷的熱處理等）使它的內(nèi)部結構松散后。其結構耗就會大大升高。

滿足標準：GBT 1409-2006測量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長在內(nèi))下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法

測量范圍及誤差

    本電橋的環(huán)境溫度為20?5℃，相對濕度為30％－80％條件下，應滿足

下列表中的技術指示要求。

    在Cn＝100pF    R4＝3183.2（W）（即10K/π）時

    測量項目      測量范圍            測量誤差              

    電容量Cx       40pF--20000pF      ?0.5%  Cx?2pF     

    介質(zhì)損耗tgd      0～1              ?1.5％tgdx?0.0001

    在Cn＝100pF      R4＝318.3（W）（即1K/π）時

    測量項目      測量范圍            測量誤差              

    電容量Cx       4pF--2000pF      ?0.5%  Cx?3pF     

介質(zhì)損耗tgd      0～0.1          ?1.5％tgdx?0.0001

輔橋的技術特性：

    工作電壓?12V，50Hz

    輸入阻抗>1012　W

    輸出阻抗>0.6 W

    放大倍數(shù)>0.99

不失真跟蹤電壓 0～12V（有效值）

特點：

 優(yōu)化的測試電路設計使殘值更小

 高頻信號采用數(shù)碼調(diào)諧器和頻率鎖定技術

 LED數(shù)字讀出品質(zhì)因數(shù)，手動/自動量程切換

 自動掃描被測件諧振點，標頻單鍵設置和鎖定，大大提高測試速度

標準配置：

高配Q表 一只  

試驗電極 一只（c類）

電感     一套（9只）

電源線   一條

說明書   一份

合格證   一份

保修卡   一份

濕度

 極化的程度隨水分的吸收量或電介質(zhì)材料表面水膜的形成而增加，其結果使電容率、介質(zhì)損耗因數(shù)和直流電導率增大。因此試驗前和試驗時對環(huán)境濕度進行控制是必不可少的.

 注:濕度的顯著影響常常發(fā)生在1MHz以下及微波頻率范圍內(nèi)

試樣上不加電極

 表面電導率很低的試樣可以不加電極而將試樣插人電極系統(tǒng)中測量，在這個電極系統(tǒng)中，試樣的一側或兩側有一個充滿空氣或液體的間隙。

C主電容調(diào)節(jié)用步進馬達控制，電容讀數(shù)更加精確,頻率值和電容值均可設置。A/C電容、電感、Q值、頻率、量程都用數(shù)字顯示，在某一頻率下，只要能找到諧振點，都能直接讀出電感、電容值，大大擴展了電感的測量范圍，而不再是固定的幾個頻率下才能測出電感值的大小。

結構損耗

在高頻電場和低溫下，有一類與介質(zhì)內(nèi)鄰結構的緊密度密切相關的介質(zhì)損耗稱為結構損耗。這類損耗與溫度關系不大，耗功隨頻率升高而增大。

試驗表明結構緊密的晶體成玻璃體的結構損耗都很小，但是當某此原因（如雜質(zhì)的摻入、試樣經(jīng)淬火急冷的熱處理等）使它的內(nèi)部結構松散后。其結構耗就會大大升高。

頻率范圍

10kHz～50MHz

頻率分段

(虛擬)

10～99.9999kHz

100～999.999kHz

1～9.99999MHz

10～60MHz     

電容測量

   注：大于直接測量范圍的電容測量見使用方法。

玻璃的損耗

復雜玻璃中的介質(zhì)損耗主要包括三個部分：電導耗、松弛損耗和結構損耗。哪一種損耗占優(yōu)勢，取決于外界因素溫度和電場頻率。高頻和高溫下，電導損耗占優(yōu)勢：在高頻下，主要的是由弱聯(lián)系離子在有限范圍內(nèi)移動造成的松弛損耗：在高頻和低溫下，主要是結構損耗，其損耗機理目前還不清楚，可能與結構的緊密程度有關。般來說，簡單玻璃的損耗是很小的，這是因為簡單玻璃中的“分子”接近規(guī)則的排列，結構緊密，沒有弱聯(lián)系的松弛離子。在純玻璃中加人堿金屬化物后。介質(zhì)損耗大大增加，并且隨著加人量的增大按指數(shù)規(guī)律增大。這是因為堿性氧化物進人玻璃的點陣結構后，使離子所在處點陣受到破壞，結構變得松散，離子活動性增大，造成電導損耗和松弛損耗增加。

電容量及介損顯示精度：

    電容量：?0.5%?tgδx?0.0001。

    介 損：?0.5％tgdx?1?10-4

信號源頻率覆蓋范圍

     頻率范圍CH1:0.1～0.999999MHz, CH2: 1～9.99999MHz,

     CH3:10～99.9999MHz, CH1 :100～160MHz,

高分子材料的損耗

高分子聚合物電介質(zhì)按單體單元偶極矩的大小可分為極性和非極性兩類。一般地，偶極矩在0~0.5D（德拜）范圍內(nèi)的是非極性高聚物；偶極矩在0.5D以上的是極性高聚物。非極性高聚物具有較低的介電常數(shù)和介質(zhì)損耗，其介電常數(shù)約為2，介質(zhì)損耗小于10-4；極性高聚物則具有較高的介電常數(shù)和介質(zhì)損耗，并且極性愈大，這兩個值愈高。

高聚物的交聯(lián)通常能阻礙極性基團的取向，因此熱固性高聚物的介電常數(shù)和介質(zhì)損耗均隨交聯(lián)度的提高而下降。酚醛樹脂就是典型的例子，雖然這種高聚物的極性很強，但只要固化比較完全，它的介質(zhì)損耗就不高。相反，支化使分子鏈間作用力減弱，分子鏈活動能力增強，介電常數(shù)和介質(zhì)損耗均增大。

高聚物的凝聚態(tài)結構及力學狀態(tài)對介電性景響也很大。結品能抑制鏈段上偶極矩的取向極化，因此高聚物的介質(zhì)損耗隨結晶度升高而下降。當高聚物結晶度大于70%時，鏈段上的偶極的極化有時完全被抑制，介電性能可降至最低值，同樣的道理，非晶態(tài)高聚物在玻璃態(tài)下比在高彈態(tài)下具有更低的介質(zhì)損耗。此外，高聚物中的增塑利、雜質(zhì)等對介電性能也有很大景響。