絕緣材料介電常數測試儀，介質損耗因數測試儀主要特點：

空洞共振腔適用于CCL/印刷線路板，薄膜等非破壞性低介電損耗材料量測。 印電路板主要由玻纖與環氧樹脂組成的, 玻纖介電常數為5~6, 樹脂大約是3, 由于樹脂含量, 硬化程度, 溶劑殘留等因素會造成介電特性的偏差, 傳統測量方法樣品制作不易, 尤其是薄膜樣品( 小于 10 mil) 量測值偏低,。

 

絕緣材料介電常數測試儀，介質損耗因數測試儀 介質損耗：絕緣材料在電場作用下，由于介質電導和介質極化的滯后效應，在其內部引起的能量損耗。也叫介質損失，簡稱介損。在交變電場作用下，電介質內流過的電流相量和電壓相量之間的夾角（功率因數角Φ）的余角δ稱為介質損耗角。

損耗因子也指耗損正切，是交流電被轉化為熱能的介電損耗（耗散的能量）的量度，一般情況下都期望耗損因子低些好。

 

方法	頻率的推薦范圍
1、西林電橋	0.10 MHZ及以下
2、變壓器電橋	15 HZ～50 MHZ
3、并聯T型網絡	50 KHZ～30 MHZ
4、諧振法	10 KHZ～260 MHZ
5、變電納法	10 KHZ～100 MHZ

 

技術參數：

 

1．Q值測量

a．Q值測量范圍：2～1023。

b．Q值量程分檔：30、100、300、1000、自動換檔或手動換檔。

c．標稱誤差

     頻率范圍（100kHz～10MHz）： 頻率范圍（10MHz～160MHz）：

     固有誤差：≤5％?滿度值的2% 固有誤差：≤6％?滿度值的2%

     工作誤差：≤7％?滿度值的2% 工作誤差：≤8％?滿度值的2%

2．電感測量范圍：4.5nH~7.9mH

3．電容測量：1~205

     主電容調節范圍：18～220pF

     準確度：150pF以下?1.5pF； 150pF以上?1%

     注：大于直接測量范圍的電容測量見后頁使用說明

Capacitance measurement: 1 ~ 205

Adjustment range of main capacitance: 18 ～ 220pF

Accuracy: ? 1.5pf below 150pF; Above 150pF ? 1%

Note: for capacitance measurement larger than the direct measurement range, see the instructions on the following page

 信號源頻率覆蓋范圍

     頻率范圍CH1:0.1～0.999999MHz, CH2: 1～9.99999MHz,

     CH3:10～99.9999MHz, CH1 :100～160MHz,

5．Q合格指示預置功能:      預置范圍：5～1000。Q qualification indication preset function: preset range: 5 ~ 1000.

6．B-測試儀正常工作條件

 環境溫度：0℃～ 40℃；

b．相對濕度：<80％；

c．電源：220V?22V，50Hz?2.5Hz。

7．其他

a．消耗功率：約25W；

b．凈重：約7kg；

外型尺寸：（l?b?h）mm：380?132?280。

other

Power consumption: About 25W;Net weight: About 7kg;External dimension: (L ? b ? h）mm：380 ? one hundred and thirty-two ? 280。

 

安全措施

（1）高壓保護：試品短路、擊穿或高壓電流波動，能迅速切斷高壓輸出。

（2）CVT保護：設定自激電壓的過流點，一旦超出設置的電流值，儀器自動退出測量，不會損壞設備。

（3）接地檢測：儀器有接地檢測功能，未接地時不能升壓測量。

（4）防誤操作：具備防誤操作設計，能判別常見接線錯誤，安全報警。

（5）防“容升”：測量大容量試品時會出現電壓抬高的“容升”效應，儀器能自動跟蹤輸出電壓，保持試驗電壓恒定。

 

 西林電橋是測量電容率和介質損耗因數的 經典的裝置。它可使用從低于工頻(50 Hz-60 Hz)直 100 kHz的頻率范圍，通常測定 50 pF-1 000 pF的電容(試樣或被試設備通常所具有的電容)這是一個四臂回路(圖A. 1)。其中兩個臂主要是電容(未知電容 Cx和一個無損耗電容C,)。另外兩臂(通常稱之為測量臂)由無感電阻R，和 R:組成，電阻 R,在未知電容 Cx的對邊上，測量臂 少被一個電容 C,分流 一般地說，電容 C:和兩個電阻R,和R:中的一個是可調的。

    如果采用電阻R、和(純)電容 C 的串聯等值回路來表示電容 Cx，則圖 A. 1所示的電橋平衡時導出 :

       R1

Cs=Cn?——

       R2

和tanδx=ωCSRS=ωC1R1

如果電阻 R2被一個電容C2分流，則tanδ = 的公式變為：

Tanδx=ωC1R1---ωC2R2

由于頻率范圍的不同，實際上電橋構造會有明顯的不同。例如一個50 pF-1 000 pF的電容在50 Hz時的阻抗為 60 MΩ-3 MΩ，在 100 kHz時的阻抗為 3 000 Ω-1 500Ω.

頻率為 100 kHz時，橋的四個臂容易有相同數量級的阻抗，而在 50 Hz-60 Hz的頻率范圍內則是不可能的。因此，出現了低頻和(相對)高頻兩種不同形式的電橋.

 

帶屏蔽的簡單西林電橋

 橋的B點(在測量臂邊的電源接線端子)與屏蔽相連并接地。

 屏蔽能很好地起到防護高壓邊影響的作用，但是增加了屏蔽與接到測量臂接線端 M和 N的各根導線之間電容.此電容承受跨接測量臂兩端的電壓 這樣會引人一個通常使 tans的測量精度限于0.1%數量級的誤差，當電容CX和CN不平衡時尤為顯著。

 

高頻電橋
由于它不再是一個高壓電橋，因此承受電壓U1的臂能容易地引人可調元件;替代法在此適用
 還應指出，帶有分開的初級繞組的電橋允許電源和檢測器互換位置。其平衡與在次級繞組中對應
的安匝數的補償相符.

 

宏觀結構不均勾性的介質損耗

工程介質材料大多數是不均勻介質。例如陶瓷材料就是如此，它通常包含有晶相、玻璃相和氣相，各相在介質中是統計分布口。由于各相的介電性不同，有可能在兩相間積聚了較多的自由電荷使介質的電場分布不均勻，造成局部有較高的電場強度而引起了較高的損耗。但作為電介質整體來看，整個電介質的介質損耗必然介于損耗 大的一相和損耗 小的一相之間。

 

極化損耗

在介質發生緩慢極化時（松弛極化、空間電荷極化等），帶電粒子在電場力的影響下因克服熱運動而引起的能量損耗。

　　一些介質在電場極化時也會產生損耗，這種損耗一般稱極化損耗。位移極化從建立極化到其穩定所需時間很短（約為10-16～10-12s），這在無線電頻率（5?1012Hz 以下）范圍均可認為是極短的，因此基本上不消耗能量。其他緩慢極化（例如松弛極化、空間電荷極化等）在外電場作用下，需經過較長時間（10-10s或更長）才達到穩定狀態，因此會引起能量的損耗。

若外加頻率較低，介質中所有的極化都能完全跟上外電場變化，則不產生極化損耗。若外加頻率較高時，介質中的極化跟不上外電場變化，于是產生極化損耗。

 

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